Semicera urang10x10mm Nonpolar M-pesawat Aluminium Substratdirancang sacara saksama pikeun nyumponan sarat anu pasti tina aplikasi optoeléktronik canggih. Substrat ieu gaduh orientasi M-pesawat nonpolar, anu penting pikeun ngirangan épék polarisasi dina alat sapertos LED sareng dioda laser, ngarah kana kamampuan sareng efisiensi.
The10x10mm Nonpolar M-pesawat Aluminium Substratdidamel kalayan kualitas kristal anu luar biasa, mastikeun kapadetan cacad minimal sareng integritas struktural anu unggul. Hal ieu ngajadikeun eta pilihan idéal pikeun tumuwuhna epitaxial pilem III-nitride kualitas luhur, nu penting pisan pikeun ngembangkeun alat optoeléktronik generasi saterusna.
rékayasa precision Semicera mastikeun yén unggal10x10mm Nonpolar M-pesawat Aluminium Substratnawarkeun ketebalan konsisten tur flatness permukaan, nu krusial pikeun déposisi pilem seragam jeung fabrikasi alat. Salaku tambahan, ukuran kompak substrat ngajadikeun éta cocog pikeun lingkungan panalungtikan sareng produksi, ngamungkinkeun pikeun dianggo anu fleksibel dina sababaraha aplikasi. Kalayan stabilitas termal sareng kimia anu saé, substrat ieu nyayogikeun yayasan anu dipercaya pikeun ngembangkeun téknologi optoeléktronik anu canggih.
| Barang | Produksi | Panalungtikan | Dummy |
| Parameter kristal | |||
| Polytype | 4H | ||
| Kasalahan orientasi permukaan | <11-20 >4±0,15° | ||
| Parameter listrik | |||
| Dopant | n-tipe Nitrogén | ||
| Résistansi | 0,015-0,025 ohm · cm | ||
| Parameter mékanis | |||
| diaméterna | 150,0 ± 0,2 mm | ||
| Kandelna | 350±25 μm | ||
| Orientasi datar primér | [1-100] ± 5° | ||
| Panjang datar primér | 47,5±1,5mm | ||
| Datar sekundér | Euweuh | ||
| TTV | ≤5 μm | ≤10 μm | ≤15 μm |
| LTV | ≤3 μm (5mm * 5mm) | ≤5 μm (5mm * 5mm) | ≤10 μm (5mm * 5mm) |
| ruku | -15μm ~ 15μm | -35μm ~ 35μm | -45μm ~ 45μm |
| Leumpang | ≤35 μm | ≤45 μm | ≤55 μm |
| Hareup (Si-beungeut) kasar (AFM) | Ra≤0.2nm (5μm*5μm) | ||
| Struktur | |||
| Kapadetan micropipe | <1 ea/cm2 | <10 ea/cm2 | <15 ea/cm2 |
| Kotoran logam | ≤5E10atoms/cm2 | NA | |
| BPD | ≤1500 ea/cm2 | ≤3000 ea/cm2 | NA |
| TSD | ≤500 ea/cm2 | ≤1000 ea/cm2 | NA |
| Kualitas hareup | |||
| Hareupeun | Si | ||
| Beungeut bérés | Si-beungeut CMP | ||
| Partikel | ≤60ea/wafer (ukuran≥0.3μm) | NA | |
| Goresan | ≤5ea/mm. Panjang kumulatif ≤Diaméterna | Panjang kumulatif≤2*Diaméterna | NA |
| Kulit jeruk / liang / noda / striations / retakan / kontaminasi | Euweuh | NA | |
| Tepi chip / indents / narekahan / pelat hex | Euweuh | ||
| wewengkon polytype | Euweuh | aréa kumulatif≤20% | aréa kumulatif≤30% |
| Nyirian laser hareup | Euweuh | ||
| Kualitas Balik | |||
| Pungkasan deui | C-beungeut CMP | ||
| Goresan | ≤5ea / mm, Kumulatif length≤2 * Diaméterna | NA | |
| Cacad tukang (ujung chip / indents) | Euweuh | ||
| Kasar deui | Ra≤0.2nm (5μm*5μm) | ||
| Nyirian laser deui | 1 mm (ti ujung luhur) | ||
| Ujung | |||
| Ujung | Chamfer | ||
| Bungkusan | |||
| Bungkusan | Epi-siap sareng bungkusan vakum Bungkusan kaset multi-wafer | ||
| *Catetan: "NA" hartosna henteu aya pamundut Barang anu henteu disebatkeun tiasa ngarujuk kana SEMI-STD. | |||
