Substrat Wafer Semicera 3C-SiC direkayasa pikeun nyayogikeun platform anu kuat pikeun éléktronika listrik generasi salajengna sareng alat frekuensi tinggi. Kalawan sipat termal unggulan sarta ciri listrik, substrat ieu dirancang pikeun minuhan sarat nuntut tina téhnologi modéren.
Struktur 3C-SiC (Cubic Silicon Carbide) tina Semicera Wafer Substrates nawiskeun kaunggulan unik, kalebet konduktivitas termal anu langkung luhur sareng koefisien ékspansi termal anu langkung handap dibandingkeun bahan semikonduktor anu sanés. Hal ieu ngajadikeun eta pilihan alus teuing pikeun alat nu beroperasi dina suhu ekstrim jeung kaayaan-daya luhur.
Kalayan tegangan ngarecahna listrik anu luhur sareng stabilitas kimiawi anu unggul, Substrat Wafer Semicera 3C-SiC ngajamin kinerja anu tahan lama sareng reliabilitas. Sipat-sipat ieu penting pikeun aplikasi sapertos radar frékuénsi luhur, lampu kaayaan padet, sareng inverter kakuatan, dimana efisiensi sareng daya tahan anu paling penting.
Komitmen Semicera pikeun kualitas ditingali dina prosés manufaktur anu cermat dina Substrat Wafer 3C-SiC na, mastikeun kasaragaman sareng konsistensi dina unggal angkatan. Katepatan ieu nyumbang kana kinerja sakabéh sareng umur panjang alat éléktronik anu diwangun dina éta.
Ku milih Semicera 3C-SiC Wafer Substrat, produsén kéngingkeun aksés kana bahan mutakhir anu ngamungkinkeun pamekaran komponén éléktronik anu langkung alit, langkung gancang, sareng langkung efisien. Semicera terus ngadukung inovasi téknologi ku cara nyayogikeun solusi anu dipercaya anu nyumponan tungtutan industri semikonduktor anu berkembang.
| Barang | Produksi | Panalungtikan | Dummy |
| Parameter kristal | |||
| Polytype | 4H | ||
| Kasalahan orientasi permukaan | <11-20 >4±0,15° | ||
| Parameter listrik | |||
| Dopant | n-tipe Nitrogén | ||
| Résistansi | 0,015-0,025 ohm · cm | ||
| Parameter mékanis | |||
| diaméterna | 150,0 ± 0,2 mm | ||
| Kandelna | 350±25 μm | ||
| Orientasi datar primér | [1-100] ± 5° | ||
| Panjang datar primér | 47,5±1,5mm | ||
| Datar sekundér | Euweuh | ||
| TTV | ≤5 μm | ≤10 μm | ≤15 μm |
| LTV | ≤3 μm (5mm * 5mm) | ≤5 μm (5mm * 5mm) | ≤10 μm (5mm * 5mm) |
| ruku | -15μm ~ 15μm | -35μm ~ 35μm | -45μm ~ 45μm |
| Leumpang | ≤35 μm | ≤45 μm | ≤55 μm |
| Hareup (Si-beungeut) kasar (AFM) | Ra≤0.2nm (5μm*5μm) | ||
| Struktur | |||
| Kapadetan micropipe | <1 ea/cm2 | <10 ea/cm2 | <15 ea/cm2 |
| Kotoran logam | ≤5E10atoms/cm2 | NA | |
| BPD | ≤1500 ea/cm2 | ≤3000 ea/cm2 | NA |
| TSD | ≤500 ea/cm2 | ≤1000 ea/cm2 | NA |
| Kualitas hareup | |||
| Hareupeun | Si | ||
| Beungeut bérés | Si-beungeut CMP | ||
| Partikel | ≤60ea/wafer (ukuran≥0.3μm) | NA | |
| Goresan | ≤5ea/mm. Panjang kumulatif ≤Diaméterna | Panjang kumulatif≤2*Diaméterna | NA |
| Kulit jeruk / liang / noda / striations / retakan / kontaminasi | Euweuh | NA | |
| Tepi chip / indents / narekahan / pelat hex | Euweuh | ||
| wewengkon polytype | Euweuh | aréa kumulatif≤20% | aréa kumulatif≤30% |
| Nyirian laser hareup | Euweuh | ||
| Kualitas Balik | |||
| Patukang tonggong | C-beungeut CMP | ||
| Goresan | ≤5ea / mm, Kumulatif length≤2 * Diaméterna | NA | |
| Cacad tukang (ujung chip / indents) | Euweuh | ||
| Kasar deui | Ra≤0.2nm (5μm*5μm) | ||
| Nyirian laser deui | 1 mm (ti ujung luhur) | ||
| Ujung | |||
| Ujung | Chamfer | ||
| Bungkusan | |||
| Bungkusan | Epi-siap sareng bungkusan vakum Bungkusan kaset multi-wafer | ||
| *Catetan: "NA" hartosna henteu aya pamundut Barang anu henteu disebatkeun tiasa ngarujuk kana SEMI-STD. | |||
