Substrat SiC tipe N Semicera 4 Inci didamel pikeun nyumponan standar industri semikonduktor. Substrat ieu nyayogikeun pondasi berkinerja tinggi pikeun sajumlah ageung aplikasi éléktronik, nawiskeun konduktivitas luar biasa sareng sipat termal.
Doping tipe-N tina substrat SiC ieu ningkatkeun konduktivitas listrikna, ngajantenkeun aranjeunna cocog pikeun aplikasi kakuatan tinggi sareng frekuensi tinggi. Sipat ieu ngamungkinkeun pikeun operasi efisien alat sapertos dioda, transistor, sareng amplifier, dimana ngaminimalkeun leungitna énergi penting pisan.
Semicera ngagunakeun prosés manufaktur anu canggih pikeun mastikeun yén unggal substrat nunjukkeun kualitas permukaan anu saé sareng seragam. Katepatan ieu penting pikeun aplikasi dina éléktronika listrik, alat gelombang mikro, sareng téknologi sanés anu nungtut kinerja anu dipercaya dina kaayaan ekstrim.
Ngasupkeun substrat SiC tipe-N Semicera kana jalur produksi anjeun hartina kauntungan tina bahan nu nawarkeun dissipation panas unggul tur stabilitas listrik. Substrat ieu idéal pikeun nyiptakeun komponén anu meryogikeun daya tahan sareng efisiensi, sapertos sistem konversi kakuatan sareng amplifier RF.
Ku milih Substrat SiC tipe N 4 inci Semicera, anjeun investasi dina produk anu ngagabungkeun élmu bahan inovatif sareng karajinan anu cermat. Semicera terus mingpin industri ku cara nyayogikeun solusi anu ngadukung pamekaran téknologi semikonduktor mutakhir, mastikeun kinerja anu luhur sareng reliabilitas.
| Barang | Produksi | Panalungtikan | Dummy |
| Parameter kristal | |||
| Polytype | 4H | ||
| Kasalahan orientasi permukaan | <11-20 >4±0,15° | ||
| Parameter listrik | |||
| Dopant | n-tipe Nitrogén | ||
| Résistansi | 0,015-0,025 ohm · cm | ||
| Parameter mékanis | |||
| diaméterna | 150,0 ± 0,2 mm | ||
| Kandelna | 350±25 μm | ||
| Orientasi datar primér | [1-100] ± 5° | ||
| Panjang datar primér | 47,5±1,5mm | ||
| Datar sekundér | Euweuh | ||
| TTV | ≤5 μm | ≤10 μm | ≤15 μm |
| LTV | ≤3 μm (5mm * 5mm) | ≤5 μm (5mm * 5mm) | ≤10 μm (5mm * 5mm) |
| ruku | -15μm ~ 15μm | -35μm ~ 35μm | -45μm ~ 45μm |
| Leumpang | ≤35 μm | ≤45 μm | ≤55 μm |
| Hareup (Si-beungeut) kasar (AFM) | Ra≤0.2nm (5μm*5μm) | ||
| Struktur | |||
| Kapadetan micropipe | <1 ea/cm2 | <10 ea/cm2 | <15 ea/cm2 |
| Kotoran logam | ≤5E10atoms/cm2 | NA | |
| BPD | ≤1500 ea/cm2 | ≤3000 ea/cm2 | NA |
| TSD | ≤500 ea/cm2 | ≤1000 ea/cm2 | NA |
| Kualitas hareup | |||
| Hareupeun | Si | ||
| Beungeut bérés | Si-beungeut CMP | ||
| Partikel | ≤60ea/wafer (ukuran≥0.3μm) | NA | |
| Goresan | ≤5ea/mm. Panjang kumulatif ≤Diaméterna | Panjang kumulatif≤2*Diaméterna | NA |
| Kulit jeruk / liang / noda / striations / retakan / kontaminasi | Euweuh | NA | |
| Tepi chip / indents / narekahan / pelat hex | Euweuh | ||
| wewengkon polytype | Euweuh | aréa kumulatif≤20% | aréa kumulatif≤30% |
| Nyirian laser hareup | Euweuh | ||
| Kualitas Balik | |||
| Pungkasan deui | C-beungeut CMP | ||
| Goresan | ≤5ea / mm, Kumulatif length≤2 * Diaméterna | NA | |
| Cacad tukang (ujung chip / indents) | Euweuh | ||
| Kasar deui | Ra≤0.2nm (5μm*5μm) | ||
| Nyirian laser deui | 1 mm (ti ujung luhur) | ||
| Ujung | |||
| Ujung | Chamfer | ||
| Bungkusan | |||
| Bungkusan | Epi-siap sareng bungkusan vakum Bungkusan kaset multi-wafer | ||
| *Catetan: "NA" hartosna henteu aya pamundut Barang anu henteu disebatkeun tiasa ngarujuk kana SEMI-STD. | |||
