Silicon carbide (SiC) bahan kristal tunggal ngabogaan lebar gap band badag (~ Si 3 kali), konduktivitas termal tinggi (~ Si 3,3 kali atawa GaAs 10 kali), laju migrasi jenuh éléktron tinggi (~ Si 2,5 kali), tinggi ngarecahna listrik widang (~Si 10 kali atawa GaAs 5 kali) jeung ciri beredar lianna.
Bahan semikonduktor generasi katilu utamana kaasup SiC, GaN, inten, jeung sajabana, sabab lebar celah pitana (Contona) leuwih gede atawa sarua jeung 2.3 volt éléktron (eV), ogé katelah bahan semikonduktor celah pita lebar. Dibandingkeun jeung bahan semikonduktor generasi kahiji jeung kadua, bahan semikonduktor generasi katilu boga kaunggulan tina konduktivitas termal tinggi, médan listrik ngarecahna tinggi, laju migrasi éléktron jenuh tinggi jeung énergi beungkeutan tinggi, nu bisa minuhan sarat anyar téhnologi éléktronik modern keur tinggi. hawa, kakuatan tinggi, tekanan tinggi, frékuénsi luhur sarta lalawanan radiasi jeung kaayaan kasar lianna. Mibanda prospek aplikasi penting dina widang pertahanan nasional, aviation, aerospace, Éksplorasi minyak, gudang optik, jeung sajabana, sarta bisa ngurangan leungitna énergi ku leuwih ti 50% dina loba industri strategis kayaning komunikasi broadband, tanaga surya, manufaktur mobil, cahaya semikonduktor, sarta grid pinter, sarta bisa ngurangan volume alat ku leuwih ti 75%, nu mangrupa milestone significance pikeun ngembangkeun sains jeung téhnologi manusa.
énergi Semicera bisa nyadiakeun konsumén jeung kualitas luhur Conductive (Conductive), Semi-insulating (Semi-insulating), HPSI (High Purity semi-insulating) substrat silikon carbide; Sajaba ti éta, urang bisa nyadiakeun konsumén jeung homogén jeung hétérogén silikon carbide cadar epitaxial; Urang ogé bisa ngaropea lambaran epitaxial nurutkeun pangabutuh husus konsumén, sarta euweuh kuantitas urutan minimum.
| Barang | Produksi | Panalungtikan | Dummy |
| Parameter kristal | |||
| Polytype | 4H | ||
| Kasalahan orientasi permukaan | <11-20 >4±0,15° | ||
| Parameter listrik | |||
| Dopant | n-tipe Nitrogén | ||
| Résistansi | 0,015-0,025 ohm · cm | ||
| Parameter mékanis | |||
| diaméterna | 150,0 ± 0,2 mm | ||
| Kandelna | 350±25 μm | ||
| Orientasi datar primér | [1-100] ± 5° | ||
| Panjang datar primér | 47,5±1,5mm | ||
| Datar sekundér | Euweuh | ||
| TTV | ≤5 μm | ≤10 μm | ≤15 μm |
| LTV | ≤3 μm (5mm * 5mm) | ≤5 μm (5mm * 5mm) | ≤10 μm (5mm * 5mm) |
| ruku | -15μm ~ 15μm | -35μm ~ 35μm | -45μm ~ 45μm |
| Leumpang | ≤35 μm | ≤45 μm | ≤55 μm |
| Hareup (Si-beungeut) kasar (AFM) | Ra≤0.2nm (5μm*5μm) | ||
| Struktur | |||
| Kapadetan micropipe | <1 ea/cm2 | <10 ea/cm2 | <15 ea/cm2 |
| Kotoran logam | ≤5E10atoms/cm2 | NA | |
| BPD | ≤1500 ea/cm2 | ≤3000 ea/cm2 | NA |
| TSD | ≤500 ea/cm2 | ≤1000 ea/cm2 | NA |
| Kualitas hareup | |||
| Hareupeun | Si | ||
| Beungeut bérés | Si-beungeut CMP | ||
| Partikel | ≤60ea/wafer (ukuran≥0.3μm) | NA | |
| Goresan | ≤5ea/mm. Panjang kumulatif ≤Diaméterna | Panjang kumulatif≤2*Diaméterna | NA |
| Kulit jeruk / liang / noda / striations / retakan / kontaminasi | Euweuh | NA | |
| Tepi chip / indents / narekahan / pelat hex | Euweuh | ||
| wewengkon polytype | Euweuh | aréa kumulatif≤20% | aréa kumulatif≤30% |
| Nyirian laser hareup | Euweuh | ||
| Kualitas Balik | |||
| Patukang tonggong | C-beungeut CMP | ||
| Goresan | ≤5ea / mm, Kumulatif length≤2 * Diaméterna | NA | |
| Cacad tukang (ujung chip / indents) | Euweuh | ||
| Kasar deui | Ra≤0.2nm (5μm*5μm) | ||
| Nyirian laser deui | 1 mm (ti ujung luhur) | ||
| Ujung | |||
| Ujung | Chamfer | ||
| Bungkusan | |||
| Bungkusan | Epi-siap sareng bungkusan vakum Bungkusan kaset multi-wafer | ||
| *Catetan: "NA" hartosna henteu aya pamundut Barang anu henteu disebatkeun tiasa ngarujuk kana SEMI-STD. | |||
