Semicera urang 6 inci N-tipe SiC Wafer nangtung di forefront téhnologi semikonduktor. Dijieun pikeun pagelaran optimal, wafer ieu unggul dina aplikasi kakuatan tinggi, frékuénsi luhur, sareng suhu luhur, penting pikeun alat éléktronik canggih.
Wafer SiC tipe N 6 Inci kami gaduh mobilitas éléktron anu luhur sareng résistansi rendah, anu mangrupikeun parameter kritis pikeun alat listrik sapertos MOSFET, dioda, sareng komponén sanésna. Sipat ieu mastikeun konversi énergi efisien sareng ngirangan panas, ningkatkeun kinerja sareng umur sistem éléktronik.
Prosés kontrol kualitas anu ketat Semicera mastikeun yén unggal wafer SiC ngajaga karataan permukaan anu saé sareng cacad minimal. Perhatian anu taliti kana detil ieu ngajamin yén wafer urang nyumponan sarat anu ketat pikeun industri sapertos otomotif, aerospace, sareng telekomunikasi.
Salian sipat listrik anu unggul, wafer SiC tipe N nawiskeun stabilitas termal anu kuat sareng tahan kana suhu anu luhur, janten idéal pikeun lingkungan dimana bahan konvensional tiasa gagal. Kamampuhan ieu penting pisan dina aplikasi anu ngalibetkeun operasi frekuensi tinggi sareng kakuatan tinggi.
Ku milih Semicera's 6 Inch N-type SiC Wafer, anjeun investasi dina produk anu ngagambarkeun puncak inovasi semikonduktor. Kami komitmen pikeun nyayogikeun blok wangunan pikeun alat-alat canggih, mastikeun yén mitra kami dina sagala rupa industri ngagaduhan aksés kana bahan anu pangsaéna pikeun kamajuan téknologina.
| Barang | Produksi | Panalungtikan | Dummy |
| Parameter kristal | |||
| Polytype | 4H | ||
| Kasalahan orientasi permukaan | <11-20 >4±0,15° | ||
| Parameter listrik | |||
| Dopant | n-tipe Nitrogén | ||
| Résistansi | 0,015-0,025 ohm · cm | ||
| Parameter mékanis | |||
| diaméterna | 150,0 ± 0,2 mm | ||
| Kandelna | 350±25 μm | ||
| Orientasi datar primér | [1-100] ± 5° | ||
| Panjang datar primér | 47,5±1,5mm | ||
| Datar sekundér | Euweuh | ||
| TTV | ≤5 μm | ≤10 μm | ≤15 μm |
| LTV | ≤3 μm (5mm * 5mm) | ≤5 μm (5mm * 5mm) | ≤10 μm (5mm * 5mm) |
| ruku | -15μm ~ 15μm | -35μm ~ 35μm | -45μm ~ 45μm |
| Leumpang | ≤35 μm | ≤45 μm | ≤55 μm |
| Hareup (Si-beungeut) kasar (AFM) | Ra≤0.2nm (5μm*5μm) | ||
| Struktur | |||
| Kapadetan micropipe | <1 ea/cm2 | <10 ea/cm2 | <15 ea/cm2 |
| Kotoran logam | ≤5E10atoms/cm2 | NA | |
| BPD | ≤1500 ea/cm2 | ≤3000 ea/cm2 | NA |
| TSD | ≤500 ea/cm2 | ≤1000 ea/cm2 | NA |
| Kualitas hareup | |||
| Hareupeun | Si | ||
| Beungeut bérés | Si-beungeut CMP | ||
| Partikel | ≤60ea/wafer (ukuran≥0.3μm) | NA | |
| Goresan | ≤5ea/mm. Panjang kumulatif ≤Diaméterna | Panjang kumulatif≤2*Diaméterna | NA |
| Kulit jeruk / liang / noda / striations / retakan / kontaminasi | Euweuh | NA | |
| Tepi chip / indents / narekahan / pelat hex | Euweuh | ||
| wewengkon polytype | Euweuh | aréa kumulatif≤20% | aréa kumulatif≤30% |
| Nyirian laser hareup | Euweuh | ||
| Kualitas Balik | |||
| Patukang tonggong | C-beungeut CMP | ||
| Goresan | ≤5ea / mm, Kumulatif length≤2 * Diaméterna | NA | |
| Cacad tukang (ujung chip / indents) | Euweuh | ||
| Kasar deui | Ra≤0.2nm (5μm*5μm) | ||
| Nyirian laser deui | 1 mm (ti ujung luhur) | ||
| Ujung | |||
| Ujung | Chamfer | ||
| Bungkusan | |||
| Bungkusan | Epi-siap sareng bungkusan vakum Bungkusan kaset multi-wafer | ||
| *Catetan: "NA" hartosna henteu aya pamundut Barang anu henteu disebatkeun tiasa ngarujuk kana SEMI-STD. | |||
