Wafer SiC HPSI Semi-Insulating 6 Inci Semicera dirancang pikeun nyumponan tungtutan ketat téknologi semikonduktor modéren. Kalayan kamurnian sareng konsistensi anu luar biasa, wafer ieu janten landasan anu dipercaya pikeun ngembangkeun komponén éléktronik anu efisiensi tinggi.
Wafer HPSI SiC ieu dipikanyaho pikeun konduktivitas termal anu luar biasa sareng insulasi listrik, anu penting pikeun ngaoptimalkeun kinerja alat listrik sareng sirkuit frekuensi tinggi. Sipat semi-insulasi ngabantosan ngaminimalkeun gangguan listrik sareng maksimalkeun efisiensi alat.
Prosés manufaktur kualitas luhur padamelan ku Semicera ensures yén unggal wafer boga ketebalan seragam jeung defects permukaan minimal. Katepatan ieu penting pisan pikeun aplikasi canggih sapertos alat frekuensi radio, inverter kakuatan, sareng sistem LED, dimana kinerja sareng daya tahan mangrupikeun faktor konci.
Ku ngamangpaatkeun téknik produksi anu canggih, Semicera nyayogikeun wafer anu henteu ngan ukur nyumponan tapi ngaleuwihan standar industri. Ukuran 6 inci nawarkeun kalenturan dina skala up produksi, catering duanana panalungtikan sarta aplikasi komérsial dina séktor semikonduktor.
Milih Semicera 6 Inci Semi-Insulating HPSI SiC Wafers hartina investasi dina produk nu delivers kualitas konsisten tur kinerja. Wafer ieu mangrupikeun bagian tina komitmen Semicera pikeun ngamajukeun kamampuan téknologi semikonduktor ngalangkungan bahan inovatif sareng karajinan anu cermat.
| Barang | Produksi | Panalungtikan | Dummy |
| Parameter kristal | |||
| Polytype | 4H | ||
| Kasalahan orientasi permukaan | <11-20 >4±0,15° | ||
| Parameter listrik | |||
| Dopant | n-tipe Nitrogén | ||
| Résistansi | 0,015-0,025 ohm · cm | ||
| Parameter mékanis | |||
| diaméterna | 150,0 ± 0,2 mm | ||
| Kandelna | 350±25 μm | ||
| Orientasi datar primér | [1-100] ± 5° | ||
| Panjang datar primér | 47,5±1,5mm | ||
| Datar sekundér | Euweuh | ||
| TTV | ≤5 μm | ≤10 μm | ≤15 μm |
| LTV | ≤3 μm (5mm * 5mm) | ≤5 μm (5mm * 5mm) | ≤10 μm (5mm * 5mm) |
| ruku | -15μm ~ 15μm | -35μm ~ 35μm | -45μm ~ 45μm |
| Leumpang | ≤35 μm | ≤45 μm | ≤55 μm |
| Hareup (Si-beungeut) kasar (AFM) | Ra≤0.2nm (5μm*5μm) | ||
| Struktur | |||
| Kapadetan micropipe | <1 ea/cm2 | <10 ea/cm2 | <15 ea/cm2 |
| Kotoran logam | ≤5E10atoms/cm2 | NA | |
| BPD | ≤1500 ea/cm2 | ≤3000 ea/cm2 | NA |
| TSD | ≤500 ea/cm2 | ≤1000 ea/cm2 | NA |
| Kualitas hareup | |||
| Hareupeun | Si | ||
| Beungeut bérés | Si-beungeut CMP | ||
| Partikel | ≤60ea/wafer (ukuran≥0.3μm) | NA | |
| Goresan | ≤5ea/mm. Panjang kumulatif ≤Diaméterna | Panjang kumulatif≤2*Diaméterna | NA |
| Kulit jeruk / liang / noda / striations / retakan / kontaminasi | Euweuh | NA | |
| Tepi chip / indents / narekahan / pelat hex | Euweuh | ||
| wewengkon polytype | Euweuh | aréa kumulatif≤20% | aréa kumulatif≤30% |
| Nyirian laser hareup | Euweuh | ||
| Kualitas Balik | |||
| Pungkasan deui | C-beungeut CMP | ||
| Goresan | ≤5ea / mm, Kumulatif length≤2 * Diaméterna | NA | |
| Cacad tukang (ujung chip / indents) | Euweuh | ||
| Kasar deui | Ra≤0.2nm (5μm*5μm) | ||
| Nyirian laser deui | 1 mm (ti ujung luhur) | ||
| Ujung | |||
| Ujung | Chamfer | ||
| Bungkusan | |||
| Bungkusan | Epi-siap sareng bungkusan vakum Bungkusan kaset multi-wafer | ||
| *Catetan: "NA" hartosna henteu aya pamundut Barang anu henteu disebatkeun tiasa ngarujuk kana SEMI-STD. | |||
