Semicera's 8 Inch N-type SiC Wafers aya di payuneun inovasi semikonduktor, nyayogikeun dasar anu kuat pikeun pamekaran alat éléktronik anu berprestasi tinggi. Wafers ieu dirancang pikeun minuhan tungtutan rigorous aplikasi éléktronik modern, ti éléktronika kakuatan ka sirkuit frékuénsi luhur.
Doping tipe-N dina wafer SiC ieu ningkatkeun konduktivitas listrikna, ngajantenkeun aranjeunna idéal pikeun rupa-rupa aplikasi, kalebet dioda kakuatan, transistor, sareng amplifier. Konduktivitas unggul mastikeun leungitna énergi minimal sareng operasi efisien, anu penting pikeun alat anu beroperasi dina frékuénsi luhur sareng tingkat kakuatan.
Semicera ngagunakeun téknik manufaktur canggih pikeun ngahasilkeun wafer SiC kalayan seragam permukaan luar biasa sareng cacad minimal. Tingkat katepatan ieu penting pisan pikeun aplikasi anu meryogikeun kinerja sareng daya tahan anu konsisten, sapertos di aerospace, otomotif, sareng industri telekomunikasi.
Incorporating Semicera's 8 Inch N-type SiC Wafers kana jalur produksi anjeun nyayogikeun dasar pikeun nyiptakeun komponén anu tiasa tahan lingkungan anu parah sareng suhu anu luhur. Wafers ieu sampurna pikeun aplikasi dina konversi kakuatan, téhnologi RF, sarta widang nuntut lianna.
Milih Semicera's 8 Inci N-type SiC Wafers hartosna investasi dina produk anu ngagabungkeun élmu bahan kualitas luhur sareng rékayasa anu tepat. Semicera komitmen pikeun ngamajukeun kamampuan téknologi semikonduktor, nawiskeun solusi anu ningkatkeun efisiensi sareng reliabilitas alat éléktronik anjeun.
| Barang | Produksi | Panalungtikan | Dummy |
| Parameter kristal | |||
| Polytype | 4H | ||
| Kasalahan orientasi permukaan | <11-20 >4±0,15° | ||
| Parameter listrik | |||
| Dopant | n-tipe Nitrogén | ||
| Résistansi | 0,015-0,025 ohm · cm | ||
| Parameter mékanis | |||
| diaméterna | 150,0 ± 0,2 mm | ||
| Kandelna | 350±25 μm | ||
| Orientasi datar primér | [1-100] ± 5° | ||
| Panjang datar primér | 47,5±1,5mm | ||
| Datar sekundér | Euweuh | ||
| TTV | ≤5 μm | ≤10 μm | ≤15 μm |
| LTV | ≤3 μm (5mm * 5mm) | ≤5 μm (5mm * 5mm) | ≤10 μm (5mm * 5mm) |
| ruku | -15μm ~ 15μm | -35μm ~ 35μm | -45μm ~ 45μm |
| Leumpang | ≤35 μm | ≤45 μm | ≤55 μm |
| Hareup (Si-beungeut) kasar (AFM) | Ra≤0.2nm (5μm*5μm) | ||
| Struktur | |||
| Kapadetan micropipe | <1 ea/cm2 | <10 ea/cm2 | <15 ea/cm2 |
| Kotoran logam | ≤5E10atoms/cm2 | NA | |
| BPD | ≤1500 ea/cm2 | ≤3000 ea/cm2 | NA |
| TSD | ≤500 ea/cm2 | ≤1000 ea/cm2 | NA |
| Kualitas hareup | |||
| Hareupeun | Si | ||
| Beungeut bérés | Si-beungeut CMP | ||
| Partikel | ≤60ea/wafer (ukuran≥0.3μm) | NA | |
| Goresan | ≤5ea/mm. Panjang kumulatif ≤Diaméterna | Panjang kumulatif≤2*Diaméterna | NA |
| Kulit jeruk / liang / noda / striations / retakan / kontaminasi | Euweuh | NA | |
| Tepi chip / indents / narekahan / pelat hex | Euweuh | ||
| wewengkon polytype | Euweuh | aréa kumulatif≤20% | aréa kumulatif≤30% |
| Nyirian laser hareup | Euweuh | ||
| Kualitas Balik | |||
| Patukang tonggong | C-beungeut CMP | ||
| Goresan | ≤5ea / mm, Kumulatif length≤2 * Diaméterna | NA | |
| Cacad tukang (ujung chip / indents) | Euweuh | ||
| Kasar deui | Ra≤0.2nm (5μm*5μm) | ||
| Nyirian laser deui | 1 mm (ti ujung luhur) | ||
| Ujung | |||
| Ujung | Chamfer | ||
| Bungkusan | |||
| Bungkusan | Epi-siap sareng bungkusan vakum Bungkusan kaset multi-wafer | ||
| *Catetan: "NA" hartosna henteu aya pamundut Barang anu henteu disebatkeun tiasa ngarujuk kana SEMI-STD. | |||
