Baki MOCVD dilapisi SiC anti oksidasi luhur

Anti oksidasi purity tinggi SiC coated baki MOCVD Gambar Diulas

Katerangan pondok:

Semicera Energy Technology Co., Ltd. mangrupikeun panyalur utama anu khusus dina wafer sareng bahan semikonduktor canggih.Kami dedicated ka nyadiakeun produk kualitas luhur, dipercaya, jeung inovatif ka manufaktur semikonduktor,industri photovoltaicjeung widang séjénna nu patali.

Baris produk urang ngawengku SiC / TaC coated produk grafit jeung produk keramik, ngawengku rupa bahan kayaning silikon carbide, silikon nitride, sarta aluminium oksida jeung sajabana

Salaku supplier dipercaya, urang ngarti pentingna consumables dina prosés manufaktur, sarta kami komitmen pikeun delivering produk nu minuhan standar kualitas pangluhurna pikeun minuhan kabutuhan konsumén urang.

Kirim surélék ka kami

Rincian produk

Tag produk

Katerangan

parusahaan urang nyadiakeunpalapis SiCjasa prosés ku métode CVD dina beungeut grafit, keramik jeung bahan séjén, ku kituna gas husus nu ngandung karbon jeung silikon meta dina suhu luhur pikeun ménta purity tinggi molekul SiC, molekul disimpen dina beungeut bahan coated, ngabentukLapisan pelindung SiC.

Fitur Utama

1. Résistansi oksidasi suhu luhur:
résistansi oksidasi masih pohara alus lamun suhu saluhur 1600 C.
2. Purity High: dijieun ku déposisi uap kimia dina kaayaan chlorination suhu luhur.
3. lalawanan erosi: karasa tinggi, beungeut kompak, partikel rupa.
4. lalawanan korosi: asam, alkali, uyah jeung réagen organik.

Spésifikasi utama palapis CVD-SIC

SiC-CVD Pasipatan
Struktur Kristal	Fase β FCC
Kapadetan	g/cm³	3.21
Teu karasa	Vickers karasa	2500
Ukuran gandum	μm	2~10
Kamurnian Kimia	%	99.99995
Kapasitas Panas	J·kg-1 ·K-1	640
Suhu Sublimation	℃	2700
Kakuatan Felexural	MPa (RT 4-titik)	415
Modulus ngora	Gpa (4pt ngalipet, 1300 ℃)	430
Ékspansi Thermal (CTE)	10-6K-1	4.5
konduktivitas termal	(W/mK)	300