CVD Silicon Carbide (SiC) Etching Ring mangrupikeun komponén khusus anu didamel tina Silicon Carbide (SiC) nganggo metode Deposisi Uap Kimia (CVD). CVD Silicon Carbide(SiC) Etching Ring muterkeun hiji peran konci dina rupa-rupa aplikasi industri, utamana dina prosés ngalibetkeun etching bahan. Silicon Carbide mangrupakeun bahan keramik unik tur canggih dipikawanoh pikeun sipat beredar na, kaasup karasa tinggi, konduktivitas termal alus teuing jeung lalawanan ka lingkungan kimia kasar.
Prosés Déposisi Uap Kimia ngalibatkeun neundeun lapisan ipis SiC kana substrat dina lingkungan anu dikontrol, ngahasilkeun bahan anu kamurnian luhur sareng leres-leres direkayasa. CVD Silicon Carbide dipikanyaho pikeun mikrostruktur seragam sareng padet, kakuatan mékanis anu saé sareng stabilitas termal anu ditingkatkeun.
CVD Silicon Carbide(SiC) Etching Ring dijieunna tina CVD Silicon Carbide, nu teu ngan ensures durability alus teuing, tapi ogé resists korosi kimiawi jeung parobahan suhu ekstrim. Hal ieu ngajadikeun eta idéal pikeun aplikasi mana precision, reliabiliti jeung hirup téh kritis.
✓Kualitas luhur di pasar Cina
✓Palayanan anu saé pikeun anjeun, 7 * 24 jam
✓ Tanggal pangiriman pondok
✓ MOQ Leutik wilujeng sumping sareng ditampi
✓ Palayanan khusus
Epitaxy Tumuwuh Susceptor
Wafers silikon / silikon karbida kedah ngalangkungan sababaraha prosés pikeun dianggo dina alat éléktronik. Prosés penting nyaéta silikon/sic epitaxy, dimana wafer silikon/sic dibawa dina dasar grafit. Kauntungan khusus tina dasar grafit anu dilapis silikon karbida Semicera kalebet kamurnian anu luhur, palapis seragam, sareng umur jasa anu panjang pisan. Éta ogé gaduh résistansi kimiawi anu luhur sareng stabilitas termal.
Produksi Chip LED
Salila palapis éksténsif reaktor MOCVD, dasar planet atawa pamawa mindahkeun wafer substrat. Kinerja bahan dasar boga pangaruh hébat kana kualitas palapis, anu dina gilirannana mangaruhan laju besi tua tina chip. Dasar dilapis silikon karbida Semicera ningkatkeun efisiensi manufaktur wafer LED kualitas luhur sareng ngaminimalkeun simpangan panjang gelombang. Kami ogé nyayogikeun komponén grafit tambahan pikeun sadaya réaktor MOCVD anu ayeuna dianggo. Urang tiasa jas ampir sagala komponén ku palapis silikon carbide, sanajan diaméter komponén nepi ka 1.5M, urang masih bisa jaket jeung silikon carbide.
Médan Semikonduktor, Prosés Difusi Oksidasi, Jsb.
Dina prosés semikonduktor, prosés ékspansi oksidasi butuh kamurnian produk anu luhur, sareng di Semicera kami nawiskeun jasa palapis khusus sareng CVD pikeun seuseueurna bagian karbida silikon.
Gambar di handap ieu nunjukkeun slurry silikon karbida anu diolah kasar tina Semicea sareng tabung tungku karbida silikon anu dibersihkeun dina 1000-tingkatbébas lebukamar. Pagawe urang damel sateuacan palapis. The purity of silikon carbide kami bisa ngahontal 99.99%, sarta purity of sic palapis leuwih gede ti 99.99995%
Atah Silicon Carbide ngawelah jeung SiC Prosés Tube di Cleaing
Silicon Carbide Wafer Parahu CVD SiC coated
