Semicera reueus nampilkeun tehGa2O3Substrat, bahan motong-ujung poised mun revolutionize éléktronika kakuatan sarta optoelectronics.Gallium Oksida (Ga2O3) substratDipikawanoh pikeun bandgap ultra-lega, ngajantenkeun aranjeunna idéal pikeun alat-alat kakuatan tinggi sareng frékuénsi luhur.
Fitur konci:
• Ultra-Wide Bandgap: Ga2O3 nawarkeun bandgap kira-kira 4.8 eV, sacara signifikan ningkatkeun kamampuanana pikeun nanganan tegangan sareng suhu anu luhur dibandingkeun sareng bahan tradisional sapertos Silicon sareng GaN.
• tegangan ngarecahna tinggi: Kalawan widang ngarecahna luar biasa, étaGa2O3Substratsampurna pikeun alat-alat nu merlukeun operasi tegangan tinggi, mastikeun efisiensi gede jeung reliabilitas.
• Stabilitas termal: stabilitas termal unggul bahan ngajadikeun eta cocog pikeun aplikasi dina lingkungan ekstrim, ngajaga kinerja sanajan dina kaayaan kasar.
• Aplikasi serbaguna: Idéal pikeun pamakéan dina transistor kakuatan-efisiensi tinggi, alat optoelectronic UV, sarta leuwih, nyadiakeun yayasan mantap pikeun sistem éléktronik canggih.
Ngalaman masa depan téknologi semikonduktor sareng Semicera'sGa2O3Substrat. Dirancang pikeun minuhan tungtutan tumuwuh tina kakuatan tinggi jeung éléktronika frékuénsi luhur, substrat ieu susunan standar anyar pikeun kinerja sarta durability. Percayakeun Semicera pikeun nganteurkeun solusi inovatif pikeun aplikasi anu paling nangtang anjeun.
| Barang | Produksi | Panalungtikan | Dummy |
| Parameter kristal | |||
| Polytype | 4H | ||
| Kasalahan orientasi permukaan | <11-20 >4±0,15° | ||
| Parameter listrik | |||
| Dopant | n-tipe Nitrogén | ||
| Résistansi | 0,015-0,025 ohm · cm | ||
| Parameter mékanis | |||
| diaméterna | 150,0 ± 0,2 mm | ||
| Kandelna | 350±25 μm | ||
| Orientasi datar primér | [1-100] ± 5° | ||
| Panjang datar primér | 47,5±1,5mm | ||
| Datar sekundér | Euweuh | ||
| TTV | ≤5 μm | ≤10 μm | ≤15 μm |
| LTV | ≤3 μm (5mm * 5mm) | ≤5 μm (5mm * 5mm) | ≤10 μm (5mm * 5mm) |
| ruku | -15μm ~ 15μm | -35μm ~ 35μm | -45μm ~ 45μm |
| Leumpang | ≤35 μm | ≤45 μm | ≤55 μm |
| Hareup (Si-beungeut) kasar (AFM) | Ra≤0.2nm (5μm*5μm) | ||
| Struktur | |||
| Kapadetan micropipe | <1 ea/cm2 | <10 ea/cm2 | <15 ea/cm2 |
| Kotoran logam | ≤5E10atoms/cm2 | NA | |
| BPD | ≤1500 ea/cm2 | ≤3000 ea/cm2 | NA |
| TSD | ≤500 ea/cm2 | ≤1000 ea/cm2 | NA |
| Kualitas hareup | |||
| Hareupeun | Si | ||
| Beungeut bérés | Si-beungeut CMP | ||
| Partikel | ≤60ea/wafer (ukuran≥0.3μm) | NA | |
| Goresan | ≤5ea/mm. Panjang kumulatif ≤Diaméterna | Panjang kumulatif≤2*Diaméterna | NA |
| Kulit jeruk / liang / noda / striations / retakan / kontaminasi | Euweuh | NA | |
| Tepi chip / indents / narekahan / pelat hex | Euweuh | ||
| wewengkon polytype | Euweuh | aréa kumulatif≤20% | aréa kumulatif≤30% |
| Nyirian laser hareup | Euweuh | ||
| Kualitas Balik | |||
| Patukang tonggong | C-beungeut CMP | ||
| Goresan | ≤5ea / mm, Kumulatif length≤2 * Diaméterna | NA | |
| Cacad tukang (ujung chip / indents) | Euweuh | ||
| Kasar deui | Ra≤0.2nm (5μm*5μm) | ||
| Nyirian laser deui | 1 mm (ti ujung luhur) | ||
| Ujung | |||
| Ujung | Chamfer | ||
| Bungkusan | |||
| Bungkusan | Epi-siap sareng bungkusan vakum Bungkusan kaset multi-wafer | ||
| *Catetan: "NA" hartosna henteu aya pamundut Barang anu henteu disebatkeun tiasa ngarujuk kana SEMI-STD. | |||
