Suhu luhur sareng tahan korosi LED Silicon Carbide etching tray (ICP etching tray)

Suhu luhur sarta tahan korosi LED Silicon Carbide baki etching (ICP etching baki) Feature Gambar

Katerangan pondok:

Semicera Energy Technology Co., Ltd. mangrupikeun panyalur utama anu khusus dina wafer sareng bahan semikonduktor canggih.Kami dedicated ka nyadiakeun produk kualitas luhur, dipercaya, jeung inovatif ka manufaktur semikonduktor,industri photovoltaicjeung widang séjénna nu patali.

Baris produk urang ngawengku SiC / TaC coated produk grafit jeung produk keramik, ngawengku rupa bahan kayaning silikon carbide, silikon nitride, sarta aluminium oksida jeung sajabana

Salaku supplier dipercaya, urang ngarti pentingna consumables dina prosés manufaktur, sarta kami komitmen pikeun delivering produk nu minuhan standar kualitas pangluhurna pikeun minuhan kabutuhan konsumén urang.

Kirim surélék ka kami

Rincian produk

Tag produk

Panjelasan Produk

Pausahaan kami nyayogikeun jasa prosés palapis SiC ku metode CVD dina permukaan grafit, keramik sareng bahan sanésna, ku kituna gas khusus anu ngandung karbon sareng silikon diréaksikeun dina suhu anu luhur pikeun kéngingkeun molekul SiC anu murni, molekul disimpen dina permukaan bahan anu dilapis, ngabentuk lapisan pelindung SIC.

Fitur utama:

1. Résistansi oksidasi suhu luhur:

résistansi oksidasi masih pohara alus lamun suhu saluhur 1600 C.

2. Purity High: dijieun ku déposisi uap kimia dina kaayaan chlorination suhu luhur.

3. lalawanan erosi: karasa tinggi, beungeut kompak, partikel rupa.

4. lalawanan korosi: asam, alkali, uyah jeung réagen organik.

1111111斯蒂芬森

Grafit kaku dirasakeun Pikeun tungku vakum

111111111111111111

Spésifikasi utama palapis CVD-SIC

SiC-CVD Pasipatan
Struktur Kristal	Fase β FCC
Kapadetan	g/cm³	3.21
Teu karasa	Vickers karasa	2500
Ukuran gandum	μm	2~10
Kamurnian Kimia	%	99.99995
Kapasitas Panas	J·kg-1 ·K-1	640
Suhu Sublimation	℃	2700
Kakuatan Felexural	MPa (RT 4-titik)	415
Modulus ngora	Gpa (4pt ngalipet, 1300 ℃)	430
Ékspansi Thermal (CTE)	10-6K-1	4.5
konduktivitas termal	(W/mK)	300