Ukuran badag recrystallized silikon carbide wafer parahu

Katerangan pondok:

Semicera Energy Technology Co., Ltd. nyaéta perusahaan téknologi tinggi anu diadegkeun di Cina, Kami mangrupikeun suplai profésional industri Semiconductor recrystallized silikon carbide kristal parahu nufacturer jeung supplier.


Rincian produk

Tag produk

Sipat silikon carbide recrystallized

Recrystallized silikon carbide (R-SiC) mangrupakeun bahan-kinerja tinggi kalawan karasa kadua ukur pikeun inten, nu kabentuk dina suhu luhur 2000 ℃. Ieu nahan loba sipat unggulan SiC, kayaning kakuatan suhu luhur, résistansi korosi kuat, résistansi oksidasi alus teuing, résistansi shock termal alus jeung saterusna.

● sipat mékanis alus teuing. Recrystallized silikon carbide boga kakuatan leuwih luhur sarta stiffness ti serat karbon, résistansi dampak tinggi, bisa maénkeun kinerja alus dina lingkungan suhu ekstrim, bisa maénkeun kinerja counterbalance hadé dina rupa-rupa situasi. Sajaba ti éta, éta ogé boga kalenturan alus tur teu gampang ruksak ku manjang tur bending, nu greatly ngaronjatkeun kinerja na.

● lalawanan korosi High. Recrystallized silikon carbide boga résistansi korosi tinggi kana rupa-rupa média, bisa nyegah erosi tina rupa-rupa média corrosive, bisa ngajaga sipat mékanis na keur lila, ngabogaan adhesion kuat, ku kituna boga umur layanan panjang. Sajaba ti éta, éta ogé boga stabilitas termal alus, bisa adaptasi jeung rentang tangtu parobahan suhu, ngaronjatkeun pangaruh aplikasi na.

● Sintering teu ngaleutikan. Kusabab prosés sintering teu ngaleutikan, euweuh stress residual bakal ngabalukarkeun deformasi atawa cracking produk, sarta bagian kalawan wangun kompléks jeung precision tinggi bisa disiapkeun.

Parameter Téknis:

图片2

Lembar Data Bahan

Bahan 材料

R-SiC

使用温度Suhu kerja (°C)

1600°C (氧化气氛lingkungan oksidasi)

1700°C (还原气氛Ngurangan lingkungan)

SiC含量eusi SiC (%)

> 99

自由Si含量Eusi Si bébas (%)

< 0.1

体积密度Kapadetan bulk (g/cm3)

2.60-2.70

气孔率Porositas semu (%)

< 16

抗压强度kakuatan crushing (MPa)

> 600

常温抗弯强度Kakuatan lentur tiis (MPa)

80-90 (20°C)

高温抗弯强度Kakuatan lentur panas (MPa)

90-100 (1400°C)

热膨胀系数

Koéfisién ékspansi termal @1500°C (10-6/°C)

4.70

导热系数konduktivitas termal @ 1200°C (W/mK)

23

杨氏模量Modulus elastis (GPa)

240

抗热震性Résistansi shock termal

很好Kacida alusna

Parahu kristal silikon karbida (2)
Parahu kristal silikon karbida (3)
Parahu kristal silikon karbida (4)
Silicon Carbide Wafer Parahu (5)
Silicon Carbide Wafer Parahu (4)
Semicera tempat Gawé
Tempat gawé Semicera 2
mesin parabot
processing CNN, beberesih kimiawi, palapis CVD
jasa kami

  • saméméhna:
  • Teras: