parusahaan urang nyadiakeunpalapis SiCjasa prosés dina beungeut grafit, keramik jeung bahan séjén ku metoda CVD, ku kituna gas husus nu ngandung karbon jeung silikon bisa meta dina suhu luhur pikeun ménta-purity tinggi molekul Sic, nu bisa disimpen dina beungeut bahan coated pikeun ngabentuk aLapisan pelindung SiCpikeun tipe laras epitaxy hy pnotic.
Fitur utama:
1 .High purity SiC coated grafit
2. lalawanan panas punjul & uniformity termal
3. MuhunSiC kristal coatedpikeun permukaan lemes
4. durability High ngalawan beberesih kimiawi
Spésifikasi utama tinaPalapis CVD-SIC
| SiC-CVD Pasipatan | ||
| Struktur Kristal | Fase β FCC | |
| Kapadetan | g/cm³ | 3.21 |
| Teu karasa | Vickers karasa | 2500 |
| Ukuran gandum | μm | 2~10 |
| Kamurnian Kimia | % | 99.99995 |
| Kapasitas Panas | J·kg-1 ·K-1 | 640 |
| Suhu Sublimation | ℃ | 2700 |
| Kakuatan Felexural | MPa (RT 4-titik) | 415 |
| Modulus ngora | Gpa (4pt ngalipet, 1300 ℃) | 430 |
| Ékspansi Thermal (CTE) | 10-6K-1 | 4.5 |
| konduktivitas termal | (W/mK) | 300 |
