Semicera's Silicon On Insulator (SOI) Wafer aya di payuneun inovasi semikonduktor, nawiskeun isolasi listrik anu ditingkatkeun sareng kinerja termal anu unggul. Struktur SOI, diwangun ku lapisan silikon ipis dina substrat insulasi, nyadiakeun mangpaat kritis pikeun alat éléktronik-kinerja tinggi.
Wafer SOI kami dirancang pikeun ngaminimalkeun kapasitansi parasit sareng arus bocor, anu penting pikeun ngembangkeun sirkuit terpadu-speed tinggi sareng kakuatan rendah. Téknologi canggih ieu mastikeun yén alat-alat beroperasi langkung éfisién, kalayan ningkat kagancangan sareng ngirangan konsumsi énergi, penting pikeun éléktronika modern.
Prosés manufaktur canggih anu dianggo ku Semicera ngajamin produksi wafer SOI kalayan seragam sareng konsistensi anu saé. Kualitas ieu penting pisan pikeun aplikasi dina telekomunikasi, otomotif, sareng éléktronika konsumen, dimana komponén anu dipercaya sareng berkinerja tinggi diperyogikeun.
Salian kauntungan listrikna, wafer SOI Semicera nawiskeun insulasi termal anu unggul, ningkatkeun dissipation panas sareng stabilitas dina alat-alat dénsitas tinggi sareng kakuatan tinggi. Fitur ieu penting pisan dina aplikasi anu ngalibetkeun generasi panas anu signifikan sareng ngabutuhkeun manajemén termal anu efektif.
Ku milih Semicera's Silicon On Insulator Wafer, anjeun investasi dina produk anu ngadukung kamajuan téknologi mutakhir. Komitmen kami pikeun kualitas sareng inovasi mastikeun yén wafer SOI kami nyumponan tungtutan ketat industri semikonduktor ayeuna, nyayogikeun pondasi pikeun alat éléktronik generasi salajengna.
| Barang | Produksi | Panalungtikan | Dummy |
| Parameter kristal | |||
| Polytype | 4H | ||
| Kasalahan orientasi permukaan | <11-20 >4±0,15° | ||
| Parameter listrik | |||
| Dopant | n-tipe Nitrogén | ||
| Résistansi | 0,015-0,025 ohm · cm | ||
| Parameter mékanis | |||
| diaméterna | 150,0 ± 0,2 mm | ||
| Kandelna | 350±25 μm | ||
| Orientasi datar primér | [1-100] ± 5° | ||
| Panjang datar primér | 47,5±1,5mm | ||
| Datar sekundér | Euweuh | ||
| TTV | ≤5 μm | ≤10 μm | ≤15 μm |
| LTV | ≤3 μm (5mm * 5mm) | ≤5 μm (5mm * 5mm) | ≤10 μm (5mm * 5mm) |
| ruku | -15μm ~ 15μm | -35μm ~ 35μm | -45μm ~ 45μm |
| Leumpang | ≤35 μm | ≤45 μm | ≤55 μm |
| Hareup (Si-beungeut) kasar (AFM) | Ra≤0.2nm (5μm*5μm) | ||
| Struktur | |||
| Kapadetan micropipe | <1 ea/cm2 | <10 ea/cm2 | <15 ea/cm2 |
| Kotoran logam | ≤5E10atoms/cm2 | NA | |
| BPD | ≤1500 ea/cm2 | ≤3000 ea/cm2 | NA |
| TSD | ≤500 ea/cm2 | ≤1000 ea/cm2 | NA |
| Kualitas hareup | |||
| Hareupeun | Si | ||
| Beungeut bérés | Si-beungeut CMP | ||
| Partikel | ≤60ea/wafer (ukuran≥0.3μm) | NA | |
| Goresan | ≤5ea/mm. Panjang kumulatif ≤Diaméterna | Panjang kumulatif≤2*Diaméterna | NA |
| Kulit jeruk / liang / noda / striations / retakan / kontaminasi | Euweuh | NA | |
| Tepi chip / indents / narekahan / pelat hex | Euweuh | ||
| wewengkon polytype | Euweuh | aréa kumulatif≤20% | aréa kumulatif≤30% |
| Nyirian laser hareup | Euweuh | ||
| Kualitas Balik | |||
| Patukang tonggong | C-beungeut CMP | ||
| Goresan | ≤5ea / mm, Kumulatif length≤2 * Diaméterna | NA | |
| Cacad tukang (ujung chip / indents) | Euweuh | ||
| Kasar deui | Ra≤0.2nm (5μm*5μm) | ||
| Nyirian laser deui | 1 mm (ti ujung luhur) | ||
| Ujung | |||
| Ujung | Chamfer | ||
| Bungkusan | |||
| Bungkusan | Epi-siap sareng bungkusan vakum Bungkusan kaset multi-wafer | ||
| *Catetan: "NA" hartosna henteu aya pamundut Barang anu henteu disebatkeun tiasa ngarujuk kana SEMI-STD. | |||
