Substrat Semicera Silicon didamel pikeun nyumponan tungtutan ketat industri semikonduktor, nawiskeun kualitas sareng presisi anu teu aya tandinganana. Substrat ieu nyayogikeun yayasan anu tiasa dipercaya pikeun sababaraha aplikasi, ti sirkuit terpadu ka sél fotovoltaik, mastikeun kinerja optimal sareng umur panjang.
Kamurnian luhur Semicera Silicon Substrat mastikeun cacad minimal sareng ciri listrik anu unggul, anu penting pikeun ngahasilkeun komponén éléktronik anu efisiensi tinggi. Tingkat purity ieu mantuan dina ngurangan leungitna énergi jeung ngaronjatkeun efisiensi sakabéh alat semikonduktor.
Semicera ngagunakeun téknik manufaktur canggih pikeun ngahasilkeun substrat silikon kalayan keseragaman sareng kerataan anu luar biasa. Precision ieu penting pisan pikeun ngahontal hasil konsisten dina fabrikasi semikonduktor, dimana sanajan variasi slightest bisa mangaruhan kinerja sarta ngahasilkeun alat.
Sadia dina rupa-rupa ukuran jeung spésifikasi, Semicera Silicon Substrat cater ka rupa-rupa kaperluan industri. Naha anjeun ngembangkeun mikroprosesor canggih atanapi panél surya, substrat ieu nyayogikeun kalenturan sareng reliabilitas anu dipikabutuh pikeun aplikasi khusus anjeun.
Semicera dikhususkeun pikeun ngadukung inovasi sareng efisiensi dina industri semikonduktor. Ku nyayogikeun substrat silikon anu kualitas luhur, kami ngamungkinkeun produsén pikeun nyorong wates téknologi, nganteurkeun produk anu nyumponan tungtutan pasar anu berkembang. Percanten ka Semicera pikeun solusi éléktronik sareng fotovoltaik generasi salajengna anjeun.
| Barang | Produksi | Panalungtikan | Dummy |
| Parameter kristal | |||
| Polytype | 4H | ||
| Kasalahan orientasi permukaan | <11-20 >4±0,15° | ||
| Parameter listrik | |||
| Dopant | n-tipe Nitrogén | ||
| Résistansi | 0,015-0,025 ohm · cm | ||
| Parameter mékanis | |||
| diaméterna | 150,0 ± 0,2 mm | ||
| Kandelna | 350±25 μm | ||
| Orientasi datar primér | [1-100] ± 5° | ||
| Panjang datar primér | 47,5±1,5mm | ||
| Datar sekundér | Euweuh | ||
| TTV | ≤5 μm | ≤10 μm | ≤15 μm |
| LTV | ≤3 μm (5mm * 5mm) | ≤5 μm (5mm * 5mm) | ≤10 μm (5mm * 5mm) |
| ruku | -15μm ~ 15μm | -35μm ~ 35μm | -45μm ~ 45μm |
| Leumpang | ≤35 μm | ≤45 μm | ≤55 μm |
| Hareup (Si-beungeut) kasar (AFM) | Ra≤0.2nm (5μm*5μm) | ||
| Struktur | |||
| Kapadetan micropipe | <1 ea/cm2 | <10 ea/cm2 | <15 ea/cm2 |
| Kotoran logam | ≤5E10atoms/cm2 | NA | |
| BPD | ≤1500 ea/cm2 | ≤3000 ea/cm2 | NA |
| TSD | ≤500 ea/cm2 | ≤1000 ea/cm2 | NA |
| Kualitas hareup | |||
| Hareupeun | Si | ||
| Beungeut bérés | Si-beungeut CMP | ||
| Partikel | ≤60ea/wafer (ukuran≥0.3μm) | NA | |
| Goresan | ≤5ea/mm. Panjang kumulatif ≤Diaméterna | Panjang kumulatif≤2*Diaméterna | NA |
| Kulit jeruk / liang / noda / striations / retakan / kontaminasi | Euweuh | NA | |
| Tepi chip / indents / narekahan / pelat hex | Euweuh | ||
| wewengkon polytype | Euweuh | aréa kumulatif≤20% | aréa kumulatif≤30% |
| Nyirian laser hareup | Euweuh | ||
| Kualitas Balik | |||
| Patukang tonggong | C-beungeut CMP | ||
| Goresan | ≤5ea / mm, Kumulatif length≤2 * Diaméterna | NA | |
| Cacad tukang (ujung chip / indents) | Euweuh | ||
| Kasar deui | Ra≤0.2nm (5μm*5μm) | ||
| Nyirian laser deui | 1 mm (ti ujung luhur) | ||
| Ujung | |||
| Ujung | Chamfer | ||
| Bungkusan | |||
| Bungkusan | Epi-siap sareng bungkusan vakum Bungkusan kaset multi-wafer | ||
| *Catetan: "NA" hartosna henteu aya pamundut Barang anu henteu disebatkeun tiasa ngarujuk kana SEMI-STD. | |||
