Semicera Silicon Wafers didamel sacara saksama pikeun dijadikeun pondasi pikeun rupa-rupa alat semikonduktor, ti mikroprosesor ka sél fotovoltaik. Wafers ieu direkayasa kalawan precision tinggi na purity, mastikeun kinerja optimal dina sagala rupa aplikasi éléktronik.
Diproduksi nganggo téknik canggih, Semicera Silicon Wafers nunjukkeun karataan sareng kaseragaman anu luar biasa, anu penting pikeun ngahontal hasil anu luhur dina fabrikasi semikonduktor. Tingkat akurasi ieu ngabantosan ngaminimalkeun cacad sareng ningkatkeun efisiensi sakabéh komponén éléktronik.
Kualitas unggul Semicera Silicon Wafers dibuktikeun dina ciri listrikna, anu nyumbang kana kamampuan alat semikonduktor. Kalayan tingkat najis anu rendah sareng kualitas kristal anu luhur, wafer ieu nyayogikeun platform idéal pikeun ngembangkeun éléktronika anu berkinerja tinggi.
Sadia dina sagala rupa ukuran sarta spésifikasi, Semicera Silicon Wafers bisa tailored pikeun minuhan kabutuhan husus tina industri béda, kaasup komputasi, telekomunikasi, sarta énergi renewable. Naha pikeun manufaktur skala ageung atanapi panalungtikan khusus, wafer ieu nganteurkeun hasil anu dipercaya.
Semicera komitmen pikeun ngadukung kamekaran sareng inovasi industri semikonduktor ku nyayogikeun wafer silikon kualitas luhur anu nyumponan standar industri anu paling luhur. Kalayan fokus kana presisi sareng reliabilitas, Semicera ngamungkinkeun produsén pikeun nyorong wates téknologi, mastikeun produkna tetep di payuneun pasar.
| Barang | Produksi | Panalungtikan | Dummy |
| Parameter kristal | |||
| Polytype | 4H | ||
| Kasalahan orientasi permukaan | <11-20 >4±0,15° | ||
| Parameter listrik | |||
| Dopant | n-tipe Nitrogén | ||
| Résistansi | 0,015-0,025 ohm · cm | ||
| Parameter mékanis | |||
| diaméterna | 150,0 ± 0,2 mm | ||
| Kandelna | 350±25 μm | ||
| Orientasi datar primér | [1-100] ± 5° | ||
| Panjang datar primér | 47,5±1,5mm | ||
| Datar sekundér | Euweuh | ||
| TTV | ≤5 μm | ≤10 μm | ≤15 μm |
| LTV | ≤3 μm (5mm * 5mm) | ≤5 μm (5mm * 5mm) | ≤10 μm (5mm * 5mm) |
| ruku | -15μm ~ 15μm | -35μm ~ 35μm | -45μm ~ 45μm |
| Leumpang | ≤35 μm | ≤45 μm | ≤55 μm |
| Hareup (Si-beungeut) kasar (AFM) | Ra≤0.2nm (5μm*5μm) | ||
| Struktur | |||
| Kapadetan micropipe | <1 ea/cm2 | <10 ea/cm2 | <15 ea/cm2 |
| Kotoran logam | ≤5E10atoms/cm2 | NA | |
| BPD | ≤1500 ea/cm2 | ≤3000 ea/cm2 | NA |
| TSD | ≤500 ea/cm2 | ≤1000 ea/cm2 | NA |
| Kualitas hareup | |||
| Hareupeun | Si | ||
| Beungeut bérés | Si-beungeut CMP | ||
| Partikel | ≤60ea/wafer (ukuran≥0.3μm) | NA | |
| Goresan | ≤5ea/mm. Panjang kumulatif ≤Diaméterna | Panjang kumulatif≤2*Diaméterna | NA |
| Kulit jeruk / liang / noda / striations / retakan / kontaminasi | Euweuh | NA | |
| Tepi chip / indents / narekahan / pelat hex | Euweuh | ||
| wewengkon polytype | Euweuh | aréa kumulatif≤20% | aréa kumulatif≤30% |
| Nyirian laser hareup | Euweuh | ||
| Kualitas Balik | |||
| Patukang tonggong | C-beungeut CMP | ||
| Goresan | ≤5ea / mm, Kumulatif length≤2 * Diaméterna | NA | |
| Cacad tukang (ujung chip / indents) | Euweuh | ||
| Kasar deui | Ra≤0.2nm (5μm*5μm) | ||
| Nyirian laser deui | 1 mm (ti ujung luhur) | ||
| Ujung | |||
| Ujung | Chamfer | ||
| Bungkusan | |||
| Bungkusan | Epi-siap sareng bungkusan vakum Bungkusan kaset multi-wafer | ||
| *Catetan: "NA" hartosna henteu aya pamundut Barang anu henteu disebatkeun tiasa ngarujuk kana SEMI-STD. | |||
