Substrat Polos SiN Ceramics Semicera nyayogikeun solusi anu berkinerja tinggi pikeun rupa-rupa aplikasi éléktronik sareng industri. Dipikawanoh pikeun konduktivitas termal alus teuing jeung kakuatan mékanis, substrat ieu mastikeun operasi dipercaya dina lingkungan nuntut.
Keramik SiN (Silicon Nitride) kami dirancang pikeun nanganan suhu ekstrim sareng kaayaan setrés tinggi, ngajantenkeun aranjeunna cocog pikeun éléktronika kakuatan tinggi sareng alat semikonduktor canggih. Daya tahan sareng résistansi kana shock termal ngajantenkeun aranjeunna cocog pikeun dianggo dina aplikasi dimana réliabilitas sareng kinerja kritis.
Prosés manufaktur precision Semicera mastikeun yén unggal substrat polos minuhan standar kualitas rigorous. Ieu ngakibatkeun substrat kalawan ketebalan konsisten tur kualitas permukaan, nu penting pisan pikeun achieving kinerja optimal dina rakitan éléktronik jeung sistem.
Salian kaunggulan termal sareng mékanisna, SiN Ceramics Plain Substrates nawiskeun sipat insulasi listrik anu saé. Ieu mastikeun gangguan listrik minimal sareng nyumbang kana stabilitas umum sareng efisiensi komponén éléktronik, ningkatkeun umur operasionalna.
Ku milih Semicera's SiN Ceramics Plain Substrat, anjeun milih produk anu ngagabungkeun élmu bahan canggih sareng manufaktur top-notch. Komitmen kami pikeun kualitas sareng inovasi ngajamin yén anjeun nampi substrat anu nyumponan standar industri anu paling luhur sareng ngadukung kasuksésan proyék téknologi canggih anjeun.
| Barang | Produksi | Panalungtikan | Dummy |
| Parameter kristal | |||
| Polytype | 4H | ||
| Kasalahan orientasi permukaan | <11-20 >4±0,15° | ||
| Parameter listrik | |||
| Dopant | n-tipe Nitrogén | ||
| Résistansi | 0,015-0,025 ohm · cm | ||
| Parameter mékanis | |||
| diaméterna | 150,0 ± 0,2 mm | ||
| Kandelna | 350±25 μm | ||
| Orientasi datar primér | [1-100] ± 5° | ||
| Panjang datar primér | 47,5±1,5mm | ||
| Datar sekundér | Euweuh | ||
| TTV | ≤5 μm | ≤10 μm | ≤15 μm |
| LTV | ≤3 μm (5mm * 5mm) | ≤5 μm (5mm * 5mm) | ≤10 μm (5mm * 5mm) |
| ruku | -15μm ~ 15μm | -35μm ~ 35μm | -45μm ~ 45μm |
| Leumpang | ≤35 μm | ≤45 μm | ≤55 μm |
| Hareup (Si-beungeut) kasar (AFM) | Ra≤0.2nm (5μm*5μm) | ||
| Struktur | |||
| Kapadetan micropipe | <1 ea/cm2 | <10 ea/cm2 | <15 ea/cm2 |
| Kotoran logam | ≤5E10atoms/cm2 | NA | |
| BPD | ≤1500 ea/cm2 | ≤3000 ea/cm2 | NA |
| TSD | ≤500 ea/cm2 | ≤1000 ea/cm2 | NA |
| Kualitas hareup | |||
| Hareupeun | Si | ||
| Beungeut bérés | Si-beungeut CMP | ||
| Partikel | ≤60ea/wafer (ukuran≥0.3μm) | NA | |
| Goresan | ≤5ea/mm. Panjang kumulatif ≤Diaméterna | Panjang kumulatif≤2*Diaméterna | NA |
| Kulit jeruk / liang / noda / striations / retakan / kontaminasi | Euweuh | NA | |
| Tepi chip / indents / narekahan / pelat hex | Euweuh | ||
| wewengkon polytype | Euweuh | aréa kumulatif≤20% | aréa kumulatif≤30% |
| Nyirian laser hareup | Euweuh | ||
| Kualitas Balik | |||
| Pungkasan deui | C-beungeut CMP | ||
| Goresan | ≤5ea / mm, Kumulatif length≤2 * Diaméterna | NA | |
| Cacad tukang (ujung chip / indents) | Euweuh | ||
| Kasar deui | Ra≤0.2nm (5μm*5μm) | ||
| Nyirian laser deui | 1 mm (ti ujung luhur) | ||
| Ujung | |||
| Ujung | Chamfer | ||
| Bungkusan | |||
| Bungkusan | Epi-siap sareng bungkusan vakum Bungkusan kaset multi-wafer | ||
| *Catetan: "NA" hartosna henteu aya pamundut Barang anu henteu disebatkeun tiasa ngarujuk kana SEMI-STD. | |||
