Wafer SOI

Katerangan pondok:

Wafer SOI nyaéta struktur kawas sandwich jeung tilu lapisan; Kaasup lapisan luhur (lapisan alat), tengah lapisan oksigén dikubur (pikeun lapisan insulating SiO2) jeung substrat handap (silikon bulk). Wafer SOI diproduksi nganggo metode SIMOX sareng téknologi beungkeutan wafer, anu ngamungkinkeun lapisan alat anu langkung ipis sareng langkung akurat, ketebalan seragam sareng dénsitas cacad rendah.

Kirim surélék ka kami

Rincian produk

Tag produk

Wafer SOI(1)

Widang aplikasi

1.-speed tinggi circuit terpadu

2. Alat gelombang mikro

3. Suhu luhur sirkuit terpadu

4. Alat kakuatan

5. kakuatan low circuit terpadu

6. MÉM

7. tegangan low circuit terpadu

Barang		Arguméntasi
Gemblengna	Diaméterna Wafer 晶圆尺寸 (mm)	50/75/100/125/150/200mm ± 25um
	Ruku / Warp 翘曲度(	<10 emh
	Partikel 颗粒度(	0.3um <30ea
	Datar / Kiyeu 定位边/定位槽	Datar atanapi Kiyeu
	Pangaluaran Tepi 边缘去除 (mm)	/
Lapisan Alat 器件层	Alat-lapisan Tipe / Dopant 器件层掺杂类型	N-Tipe/P-Tipe B/ P/ Sb / As
	Orientasi lapisan alat 器件层晶向	<1-0-0> / <1-1-1> / <1-1-0>
	Alat-lapisan Kandel 器件层厚度(um)	0,1 ~ 300um
	Alat-lapisan résistansi 器件层电阻率(ohm•cm)	0,001~100,000 ohm-cm
	Paranti-lapisan Partikel 器件层颗粒度(	<30ea@0.3
	Alat Lapisan TTV 器件层TTV(	<10 emh
	Alat Lapisan Rengse 器件层表面处理	Dipoles
KOTAK	Dikubur Thermal Oksida Kandel 埋氧层厚度(um)	50nm(500Å)~15um
Nanganan Lapisan 衬底	Nanganan Wafer Tipe / Dopant 衬底层类型	N-Tipe/P-Tipe B/ P/ Sb / As
	Nanganan Wafer Orientasi 衬底晶向	<1-0-0> / <1-1-1> / <1-1-0>
	Nanganan Wafer Résistansi 衬底电阻率(ohm•cm)	0,001~100,000 ohm-cm
	Nanganan Ketebalan Wafer 衬底厚度(um)	> 100 emh
	Nanganan Wafer Finish 衬底表面处理	Dipoles
wafer SOI tina spésifikasi target bisa ngaropéa nurutkeun sarat customer.