Semicera nyayogikeun palapis tantalum carbide (TaC) khusus pikeun sababaraha komponén sareng operator.Prosés palapis Semicera ngarah ngamungkinkeun palapis tantalum carbide (TaC) pikeun ngahontal kamurnian anu luhur, stabilitas suhu anu luhur sareng kasabaran kimiawi anu luhur, ningkatkeun kualitas produk kristal SIC / GAN sareng lapisan EPI (Susceptor TaC dilapis grafit), sarta manjangkeun umur komponén reaktor konci. Pamakéan tantalum carbide TaC palapis nyaéta pikeun ngajawab masalah ujung jeung ngaronjatkeun kualitas tumuwuhna kristal, sarta Semicera geus narabas direngsekeun téhnologi palapis tantalum carbide (CVD), ngahontal tingkat canggih internasional.
Saatos taun pangwangunan, Semicera parantos nalukkeun téknologiCVD TaCkalawan usaha babarengan ti departemen R & D. Defects gampang lumangsung dina prosés tumuwuhna wafers SiC, tapi sanggeus ngagunakeunTaC, bédana signifikan. Di handap ieu ngabandingkeun wafer sareng sareng tanpa TaC, ogé bagian Semicera 'pikeun pertumbuhan kristal tunggal
kalawan jeung tanpa TaC
Sanggeus ngagunakeun TaC (katuhu)
Salaku tambahan, umur jasa produk palapis TaC Semicera langkung panjang sareng langkung tahan kana suhu anu luhur tibatan palapis SiC. Saatos lami data pangukuran laboratorium, TaC kami tiasa dianggo kanggo waktos anu lami dina maksimal 2300 derajat Celsius. Ieu sababaraha conto kami:
(a) diagram skéma tina alat tumuwuh ingot kristal tunggal SiC ku métode PVT (b) Top TaC coated siki bracket (kaasup SiC siki) (c) TAC-coated grafit pituduh ring
