CVD SiC palapis épitaxial déposisi Dina Epitaxy Reaktor System

CVD SiC Coating Épitaxial déposisi Dina Epitaxy Reactor System Gambar Fitur

Katerangan pondok:

Semicera nawiskeun rangkeian komprehensif susceptors sareng komponén grafit anu dirancang pikeun sagala rupa réaktor epitaksi.

Ngaliwatan partnerships strategis jeung OEMs ngarah industri, kaahlian bahan éksténsif, jeung kamampuhan manufaktur canggih, Semicera delivers desain tailored pikeun minuhan sarat husus tina aplikasi Anjeun. Komitmen kami pikeun kaunggulan mastikeun yén anjeun nampi solusi anu optimal pikeun kabutuhan reaktor epitaksi anjeun.

Kirim surélék ka kami

Rincian produk

Tag produk

parusahaan urang nyadiakeunpalapis SiCjasa prosés dina beungeut grafit, keramik jeung bahan séjén ku metoda CVD, ku kituna gas husus nu ngandung karbon jeung silikon bisa meta dina suhu luhur pikeun ménta-purity tinggi molekul Sic, nu bisa disimpen dina beungeut bahan coated pikeun ngabentuk aLapisan pelindung SiCpikeun jenis tong hy pnotic.

Fitur utama:

1 .High purity SiC coated grafit

2. lalawanan panas punjul & uniformity termal

3. MuhunSiC kristal coatedpikeun permukaan lemes

4. durability High ngalawan beberesih kimiawi

Deposisi Epitaxial CVD Dina Réaktor Laras

Spésifikasi utama tinaPalapis CVD-SIC

SiC-CVD Pasipatan
Struktur Kristal	Fase β FCC
Kapadetan	g/cm³	3.21
Teu karasa	Vickers karasa	2500
Ukuran gandum	μm	2~10
Kamurnian Kimia	%	99.99995
Kapasitas Panas	J·kg-1 ·K-1	640
Suhu Sublimation	℃	2700
Kakuatan Felexural	MPa (RT 4-titik)	415
Modulus ngora	Gpa (4pt ngalipet, 1300 ℃)	430
Ékspansi Thermal (CTE)	10-6K-1	4.5
konduktivitas termal	(W/mK)	300