Bubuka pikeun palapis Silicon Carbide
Lapisan Silicon Carbide (SiC) Chemical Vapor Deposition (CVD) kami mangrupikeun lapisan anu awét pisan sareng tahan ngagem, idéal pikeun lingkungan anu nungtut korosi anu luhur sareng résistansi termal.palapis Silicon Carbidediterapkeun dina lapisan ipis dina sagala rupa substrat ngaliwatan prosés CVD, nawarkeun ciri kinerja unggul.
Fitur konci
● -Kamurnian luar biasa: Boasting komposisi ultra-murni tina99.99995%, urangpalapis SiCngaminimalkeun résiko kontaminasi dina operasi semikonduktor sénsitip.
● - Résistansi punjul: Némbongkeun résistansi anu saé pikeun ngagem sareng korosi, janten sampurna pikeun nangtang setélan kimia sareng plasma.
● -Konduktivitas termal luhur: Mastikeun kinerja dipercaya dina suhu ekstrim alatan sipat termal beredar na.
● -Diménsi stabilitas: Ngajaga integritas struktural sakuliah rupa-rupa suhu, berkat koefisien ékspansi termal low.
● -Enhanced karasa: Kalawan rating karasa tina40 GPa, palapis SiC kami tahan dampak signifikan jeung abrasion.
● -Smooth Surface finish: Nyadiakeun finish kawas eunteung, ngurangan generasi partikel sarta enhancing efisiensi operasional.
Aplikasi
Semicera palapis SiCdigunakeun dina sagala rupa tahapan manufaktur semikonduktor, diantarana:
● -Fabrikasi Chip LED
● -Produksi Polysilicon
● -Semikonduktor Kristal Tumuwuh
● -Silicon jeung SiC Epitaxy
● -Oksidasi sareng Difusi Termal (TO&D)
Kami nyayogikeun komponén anu dilapis SiC anu didamel tina grafit isostatik kakuatan tinggi, karbon anu diperkuat serat karbon sareng karbida silikon anu dicrystallized 4N, disaluyukeun pikeun réaktor ranjang fluidized,Konverter STC-TCS, pemantul unit CZ, kapal wafer SiC, ngawelah SiCwafer, tabung wafer SiC, sareng operator wafer anu dianggo dina PECVD, silikon epitaksi, prosés MOCVD.
Mangpaat
● -ngalegaan Lifespan: Nyata ngurangan downtime parabot jeung waragad perawatan, enhancing efisiensi produksi sakabéh.
● -Ningkatkeun Quality: Achieves surfaces-purity tinggi dipikabutuh pikeun ngolah semikonduktor, sahingga boosting kualitas produk.
● -Efisiensi ngaronjat: Ngaoptimalkeun prosés termal sareng CVD, nyababkeun waktos siklus anu langkung pondok sareng ngahasilkeun anu langkung luhur.
Spésifikasi teknis
● -Struktur: FCC β fase polycrystaline, utamana (111) berorientasi
● -Ddénsitas: 3,21 g/cm³
● -Karasa: 2500 Vickes karasa (500g beban)
● -kateguhan narekahan: 3,0 MPa·m1/2
● -Koéfisién ékspansi termal (100–600 °C)4,3 x 10-6k-1
● -Modulus élastis(1300 ℃):435 GPa
● -Katebalan Pilem has:100 µm
● -Kakasaran permukaan:2-10 µm
Data Purity (Diukur ku Glow Discharge Mass Spectroscopy)
| unsur | ppm | unsur | ppm |
| Li | <0.001 | Cu | <0.01 |
| Be | <0.001 | Zn | <0.05 |
| Al | < 0.04 | Ga | <0.01 |
| P | <0.01 | Ge | <0.05 |
| S | < 0.04 | As | <0,005 |
| K | <0.05 | In | <0.01 |
| Ca | <0.05 | Sn | <0.01 |
| Ti | <0,005 | Sb | <0.01 |
| V | <0.001 | W | <0.05 |
| Cr | <0.05 | Te | <0.01 |
| Mn | <0,005 | Pb | <0.01 |
| Fe | <0.05 | Bi | <0.05 |
| Ni | <0.01 |
|
